0,2mm Silizium-PIN-Fotodiode
Modell: LSSPD-0.2
Eigenschaften
Hohe Zuverlässigkeit, extrem niedriger Dunkelstrom
Spektralbereich 400-1100 nm
Aktiver Durchmesser 0,2 mm
Schnelle Anstiegszeit bis zu 0,3 ns
Hermetisches TO46-Gehäuse oder mit Stecker oder mit Faserkopplung
Anwendungen
Optischer Sensor
Hochgeschwindigkeits-Lichtimpulstest
Laser-Entfernungsmessung und Laser-LidarIndustrielle automatische Steuerung
Raumlicht-Erfassungsgeräte
Spezifikation:
Betriebstemperatur: -40~+85℃
Lagertemperatur: -40~+100℃
Sperrspannung: 15V
Aktiver Durchmesser: 0,2 mm
Spektralbereich: 400-1100 nm
Empfindlichkeit:
Re(Vr=5V,λ=405nm) 0,1mA/mW
Re(Vr=5V,λ=650nm) 0,35mA/mW
Re(Vr=5V,λ=940nm) 0,55mA/mW
Re(Vr=5V,A=1064nm) 0,1mA/mW
Ansprechzeit: Tr(RL=50Ω,Vr=5V) 0,3ns
Dunkelstrom:
Id(Vr=0V) 0,1 pA
ld(Vr=5V) 100pA
Sperr-Durchbruchspannung:
VBR(ld=10uA) 60V
Lieferumfang:
1x 0,2mm Silizium-PIN-Fotodiode
