400-1100 nm 1,2 mm Silizium-PIN-Fotodetektordiode Hohe Empfindlichkeit Niedriger Dunkelstrom

400-1100 nm 1,2 mm Silizium-PIN-Fotodetektordiode Hohe Empfindlichkeit Niedriger Dunkelstrom

Spezifikation:

Lichtempfindliche Oberfläche: 1,2 m × 1,2 mm

Reaktionswellenlänge: 400-1100 nm

Dunkelstrom: 0,2 nA bei -5 V

Anstiegszeit: 1,4 ns@-5 V, 50 Ω

Reaktionsfähigkeit: 0,2 mA/mW bei 1064 nm

0,5 mA/mW bei 850 nm

0,35 mA/mW bei 650 nm

Anwendung:

1. Optischer Sensor 2. Optisches Leistungsmessgerät 3. Industrielle Automatisierungssteuerung 4. Wissenschaftliche Analyse und Experiment 5. Weltraumlicht-Erkennungsgerät 6. Antwortspektrumtest

Merkmale:

Hohe Zuverlässigkeit, niedriger Dunkelstrom; lichtempfindlicher Oberflächendurchmesser 1,2 x 1,2 mm, TO5-Gehäuse, optische Schnittstelle optional.

Paket:

1*400-1100nm 1,2mm Silizium PIN Photodetektor Diode Hohe Empfindlichkeit Niedriger Dunkelstrom