400-1100 nm 3,2 mm Silizium-Photodetektor/-Diode

400-1100nm 3.2mm Silizium-Photodetektor/Diode

Lichtempfindliche Oberfläche:

3,2 mm × 3,2 mm

Ansprechwellenlänge:

400-1100nm

Dunkelstrom:

0,2 nA@-5V

Anstiegszeit:

1,4 ns@-5V, 50Ω

Empfindlichkeit:

0,2 mA/mW@1064nm

  0,5 mA/mW@850nm

  0,35 mA/mW@650nm

Anwendung:

1. Optischer Sensor 2. Optischer Leistungsmesser 3. Industrielle Automatisierungssteuerung 4. Wissenschaftliche Analyse und Experimente 5. Weltraum-Lichterkennungsausrüstung 6. Ansprechspektrumtest

Merkmale:

Hohe Zuverlässigkeit, geringer Dunkelstrom; Durchmesser der lichtempfindlichen Oberfläche 3,2 x 3,2 mm, TO5-Gehäuse, optische Schnittstelle optional.

Paket:

1*400-1100nm 3,2mm Silizium-Photodetektor/Diode