Photodétecteur/diode en silicium 400-1100 nm 3,2 mm 2 broches

Photodétecteur/diode en silicium 400-1100 nm 3,2 mm

Surface photosensible :

3,2 m × 3,2 mm

Longueur d'onde de réponse :

400-1100 nm

Courant d'obscurité :

0,2 nA à -5 V

Temps de montée :

1,4 ns à -5 V, 50 Ω

Réactivité :

0,2 mA/mW à 1 064 nm

0,5 mA/mW à 850 nm

0,35 mA/mW à 650 nm

Application:

1. Capteur optique 2. Compteur de puissance optique 3. Contrôle d'automatisation industrielle 4. Analyse et expérience scientifiques 5. Équipement de détection de lumière spatiale 6. Test du spectre de réponse

Caractéristiques:

Haute fiabilité, faible courant d'obscurité ; diamètre de surface photosensible 3,2 x 3,2 mm, boîtier TO5, interface optique en option.

Emballer:

1*400-1100nm 3.2mm Photodétecteur/Diode Silicium